| 型號(hào): | NTB13N10 |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N–Channel Enhancement–Mode(13 A, 100 V,N通道,增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述: | 13 A, 100 V, 0.165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商: | NTB13N10 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
| NTB18N06LT4 | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
| NTB18N06LT4G | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
| NTP18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
| NTB23N03RG | Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB13N10G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB13N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB13N10T4G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB-1401 | 制造商:QUEST TECHNOLOGY 功能描述:IVORY 4C RJ-11 SINGLE SURFACE BOX |
| NTB-1402 | 制造商:Quest Tech. 功能描述:Conn RJ-11 F 4 POS ST Cable Mount 4 Terminal 1 Port |