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參數(shù)資料
| 型號： | NTB60N06 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| 中文描述： | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | NTB60N06 |
NTP60N06, NTB60N06
http://onsemi.com
3
0.026
0.022
0.018
0.01
40
20
0
0.006
120
60
0.014
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 15 V
80
100
I
D
,
V
GS
= 10 V
Figure 1. OnRegion Characteristics
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
120
60
40
20
5
3
2
1
0
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
8
6
5
4
3
120
60
40
20
0
0
Figure 3. OnResistance versus GatetoSource
Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.026
0.022
0.018
0.01
40
20
0
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.006
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
175
125
100
75
50
25
0
25
50
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
10
0
1000
100
10
0.6
10,000
I
D
,
R
D
,
120
60
0.014
R
D
,
R
D
I
D
,
20
60
4
30
40
50
4.5 V
5 V
5.5 V
7 V
6 V
9 V
8 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 V
T
J
= 100
°
C
80
100
80
100
7
80
100
150
T
J
= 125
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTB60N06T4 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTB60N06T4G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTP60N06 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTP60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06L | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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