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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTB60N06 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| 中文描述： | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | NTB60N06 |
NTP60N06, NTB60N06
http://onsemi.com
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For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTB60N06T4 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTB60N06T4G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTP60N06 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
| NTP60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06L | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB60N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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