參數(shù)資料
型號： NX3008NBK
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, TO-236AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/16頁
文件大?。?/td> 872K
代理商： NX3008NBK
1.
Product profile
1.1 General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23
(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET
technology.
1.2 Features and benefits
Very fast switching
Low threshold voltage
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 2 kV
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
NX3008NBK
30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 — 2 August 2011
Product data sheet
ST3
Quick reference data
Parameter
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
Conditions
T
j
= 25 °C
Min
-
-8
Typ
-
-
-
Max
30
8
400
Unit
V
V
mA
V
GS
= 4.5 V;
T
amb
= 25 °C
[1]
-
Static characteristics
R
DSon
drain-source on-state
resistance
V
GS
= 4.5 V;
I
D
= 350 mA; T
j
= 25 °C
-
1
1.4
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PDF描述
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