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PSMN7R0-30YLC,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

    PSMN7R0-30YLC,115

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1716+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

    PSMN7R0-30YLC,115

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室

  • 367313

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

    PSMN7R0-30YLC,115

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 367313

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

    PSMN7R0-30YLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN7R0-30YLC,115
    PSMN7R0-30YLC,115

    PSMN7R0-30YLC,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • NXP

  • SOT-669

  • 新年份

  • -

  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
PSMN7R0-30YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN7R0-30YLC,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN7R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:76A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1270pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R0-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:67A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1076pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R0-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6686pF @ 50V 功率 - 最大值:57.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN7R0-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6686pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:269W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:- 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN7R0-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6686pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:269W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-80YLX PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115
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免責(zé)聲明：以上所展示的PSMN7R0-30YLC,115信息由會(huì)員自行提供，PSMN7R0-30YLC,115內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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