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參數(shù)資料
| 型號： | P1100EB |
| 英文描述： | MCU CMOS 18LD 2K FLASH, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE |
| 中文描述： | SIDAC的| 130V五（公報）最大| 800mA的我（縣）|對92VAR |
| 文件頁數(shù)： | 11/161頁 |
| 文件大小： | 986K |
| 代理商： | P1100EB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當(dāng)前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁
SIDACtor
Data Book
1 - 1
I
1
Introduction
SIDACtors are solid state crowbar devices designed to protect telecom equipment
during hazardous transient conditions. Capitalizing on the latest in thyristor
advancements, Teccor designs their SIDACtors with a patented ion implant
technology. This technology ensures effective protection within nanoseconds, 500A
surge current ratings, and simple solutions for regulatory requirements such as
Bellcore 1089, FCC Part 68, ITU-T K. 20, ITU-T K. 21and UL1459 & 1950.
Operation
In the standby mode, SIDACtors exhibit a high off-state impedance eliminating
excessive leakage currents and appearing transparent to the circuits they protect.
Upon application of a voltage exceeding the switching voltage (V
S
), SIDACtors will
crowbar and simulate a short circuit condition until the current flowing through the
device is either interrupted or drops below the SIDACtor
’
s holding current (I
H
). Once
this occurs, SIDACtors will reset and return to their high off-state impedance.
V-I Characteristics
I
H
I
T
I
S
I
DRM
V
DRM
V
T
+V
-V
+I
-I
V
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1100EBRP1 | MCU CMOS 18LD 2K FLASH, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| P1300EARP2 | SIDAC|160V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-92VAR |
| P1300EB | SIDAC|160V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-92VAR |
| P1300EBRP1 | SIDAC|160V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-92VAR |
| P1300EBRP2 | SIDAC|160V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-92VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P1100EBL | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EBLAP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EBLRP1 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EBLRP2 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 90V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1100EBLXXX | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:SIDACtor? Series TO-92 are designed to protect baseband equipment |
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