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參數(shù)資料
| 型號： | P1500SARP |
| 英文描述： | MCU CMOS 18 LD 4MHZ .5K FLASH, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| 中文描述： | SIDAC的| 180V五（公報）最大| 800mA的我（縣）|的DO - 214AA |
| 文件頁數(shù)： | 120/161頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | P1500SARP |
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Construction and Operation
SIDACtor
Data Book
5 - 4
Teccor Electronics
(972) 580-7777
amounts of current because of the low voltage drop (V
T
) across the device. Once the
current flowing through the device is either interrupted or falls below a minimum
holding current (I
H
), the SIDACtor resets, returning to its off-state.
Physics
The SIDACtor is a semiconductor device which is characterized as having four layers
of alternating conductivity; PNPN. The four layers include an emitter layer, an upper
base layer, a mid-region layer and a lower base layer. The emitter is sometimes
referred to as a cathode region, with the lower base layer being referred to as an
anode region.
As the voltage across the SIDACtor increases and exceeds the devices V
DRM
, the
electric field across the center junction reaches a value sufficient to cause avalanche
multiplication. As avalanche multiplication occurs, the impedance of the device begins
to decrease and current flow begins to increase until the SIDACtor
’
s current gain
exceeds unity. Once unity is exceeded, the SIDACtor switches from a high impedance
(measured at V
S
) to a low impedance (measured at V
T
) until the current flowing
through the device is reduced below it
’
s holding current (I
H
).
Figure 5-2 Geometric Structure of Bidirectional SIDACtors
P
N
N
N
P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1500SBRP | MCU CMOS 18 LD 10MHZ .5K FLASH, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE |
| P1500SCRP | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| P1602ABRP | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE |
| P1602AC | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| P1602ACRP | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, T/R |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P1500SARP_ | 功能描述:硅對稱二端開關元件 - Use 576-P1500SARP RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500SB | 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500SBL | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:gas plasma arresters-package dimensions/specifications |
| P1500SBLRP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500SBRP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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