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參數(shù)資料
| 型號： | PC9S08AC128CFGE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 128K FLASH 44-LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 160 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外圍設(shè)備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 38 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 128KB（128K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 8K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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Chapter 3 Electrical Characteristics and Timing Specifications
MC9S08AC128 MCU Series Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
15
Table 3-6. DC Characteristics
Num C
Parameter
Symbol
Min
Typ1
Max
Unit
1
— Operating Voltage
VDD
2.7
—
5.5
V
2
P Output high voltage — Low Drive (PTxDSn = 0)
5 V, ILoad = –2 mA
3 V, ILoad = –0.6 mA
5 V, ILoad = –0.4 mA
3 V, ILoad = –0.24 mA
VOH
VDD – 1.5
VDD – 0.8
—
V
P Output high voltage — High Drive (PTxDSn = 1)
5 V, ILoad = –10 mA
3 V, ILoad = –3 mA
5 V, ILoad = –2 mA
3 V, ILoad = –0.4 mA
VDD – 1.5
VDD – 0.8
—
3
P Output low voltage — Low Drive (PTxDSn = 0)
5 V, ILoad = 2 mA
3 V, ILoad = 0.6 mA
5 V, ILoad = 0.4 mA
3 V, ILoad = 0.24 mA
VOL
—
1.5
0.8
V
P Output low voltage — High Drive (PTxDSn = 1)
5 V, ILoad = 10 mA
3 V, ILoad = 3 mA
5 V, ILoad = 2 mA
3 V, ILoad = 0.4 mA
—
1.5
0.8
4
P Output high current — Max total IOH for all ports
5V
3V
IOHT
—
100
60
mA
P Output low current — Max total IOL for all ports
5V
3V
IOLT
—
100
60
mA
5
6
P Input high
2.7v
V
DD 4.5v
VIH
0.70xVDD
——
voltage; all
digital inputs
4.5v
V
DD 5.5v
VIH
0.65xVDD
——
V
7
P Input low voltage; all digital inputs
VIL
—
0.35 x VDD
8
P Input hysteresis; all digital inputs
Vhys
0.06 x VDD
mV
9
P Input leakage current; input only pins2
|IIn|—
0.1
1
A
10
P High Impedance (off-state) leakage current2
|IOZ|—
0.1
1
A
11
P Internal pullup resistors3
RPU
20
45
65
k
12
P Internal pulldown resistors4
RPD
20
45
65
k
13
C Input Capacitance; all non-supply pins
CIn
——
8
pF
14
D RAM retention voltage
VRAM
—0.6
1.0
V
15
P POR rearm voltage
VPOR
0.9
1.4
2.0
V
16
D POR rearm time
tPOR
10
—
s
17
P Low-voltage detection threshold — high range
VDD falling
VDD rising
VLVDH
4.2
4.3
4.4
4.5
V
18
P
Low-voltage detection threshold — low range
VDD falling
VDD rising
VLVDL
2.48
2.54
2.56
2.62
2.64
2.7
V
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