參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC114TEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： PDTC114TEF
1999 May 18
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC114EE
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space reduction in interface and
driver circuits
Inverter circuit configurations without use of external
resistors.
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor in an SC-75 plastic
package. PNP complement: PDTA114EE.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PDTC114EE
09
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-75) and symbol.
handbook, halfpage
MAM346
1
2
3
Top view
1
2
3
R1
R2
Fig.2 Equivalent inverter symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
50
50
10
V
V
V
65
65
+40
10
100
100
150
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor
PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor
PDTC114EEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC115EK NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
PDTC115EEF NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTC114TEF,115 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-490 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
PDTC114TK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
PDTC114TK T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC114TK,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC114TM 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital NPN Transistor,10k,SOT-883
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*