參數(shù)資料
型號(hào): PDTD123E
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
中文描述: NPN配電阻型 500毫安,50伏 晶體管;R1 = 2.2 千歐姆, R2 = 2.2 千歐姆
文件頁(yè)數(shù): 2/10頁(yè)
文件大小: 68K
代理商: PDTD123E
9397 750 14582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 8 April 2005
2 of 10
Philips Semiconductors
PDTD123E series
NPN 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
2.
Pinning information
Table 3:
Pin
SOT54
1
2
3
Pinning
Description
Simplified outline
Symbol
input (base)
output (collector)
GND (emitter)
SOT54A
1
2
3
input (base)
output (collector)
GND (emitter)
SOT54 variant
1
2
3
input (base)
output (collector)
GND (emitter)
SOT23, SOT346
1
2
3
input (base)
GND (emitter)
output (collector)
001aab347
1
2
3
006aaa145
2
3
1
R1
R2
001aab348
1
2
3
006aaa145
2
3
1
R1
R2
001aab447
1
2
3
006aaa145
2
3
1
R1
R2
006aaa144
1
2
3
sym007
3
2
1
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTD123EK NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
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PDTD123EK T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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