參數(shù)資料
型號： PDTD123E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
中文描述： NPN配電阻型 500毫安，50伏 晶體管；R1 = 2.2 千歐姆, R2 = 2.2 千歐姆
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： PDTD123E
9397 750 14582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 8 April 2005
4 of 10
Philips Semiconductors
PDTD123E series
NPN 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
Table 7:
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
SOT346
SOT54
SOT23
Conditions
in free air
Min
Typ
Max
Unit
[1]
-
-
-
-
-
-
500
250
500
K/W
K/W
K/W
Table 8:
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off
current
Characteristics
Conditions
V
CB
= 40 V; I
E
= 0 A
V
CB
= 50 V; I
E
= 0 A
V
CE
= 50 V; I
B
= 0 A
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
Max
100
100
0.5
Unit
nA
nA
μ
A
I
CEO
collector-emitter
cut-off current
emitter-base cut-off
current
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
off-state input
voltage
on-state input
voltage
bias resistor 1 (input)
bias resistor ratio
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= i
e
= 0 A;
f = 100 MHz
I
EBO
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
-
-
2
mA
h
FE
V
CEsat
V
CE
= 5 V; I
C
= 50 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 2.5 mA
40
-
-
-
-
0.3
V
V
I(off)
V
CE
= 5 V; I
C
= 100
μ
A
0.6
1.1
1.8
V
V
I(on)
V
CE
= 0.3 V; I
C
= 20 mA
1.0
1.5
2.0
V
R1
R2/R1
C
c
1.54
0.9
-
2.2
1.0
7
2.86
1.1
-
k
pF
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