- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369994 > PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PF08109B-TB |
| 元件分類： | 基準電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁數(shù)： | 18/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | PF08109B-TB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 18 of 44
Pout vs Harmonic Distortion – Vdd Dependence (cont)
3
880 MHz 3fo vs. Pout
0
5
10
15
20
30
25
35
40
Pout (dBm)
65
60
55
50
45
40
35
3
915 MHz 3fo vs. Pout
0
5
10
15
20
30
25
35
40
Pout (dBm)
65
60
55
50
45
40
35
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08114B | |
| PF08122B | |
| PF08123B | |
| PF251 | 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts |
| PF252 | 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08123B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF08134B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。