參數(shù)資料
型號(hào): PF08109B-TB
元件分類: 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述: RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
中文描述: 抗輻射高效,5安培開關(guān)穩(wěn)壓器
文件頁(yè)數(shù): 33/44頁(yè)
文件大小: 217K
代理商: PF08109B-TB
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 33 of 44
Pout vs Harmonic Distortion – Vdd Dependence
2
1710 MHz 2fo vs. Pout
0
5
10
15
20
30
25
35
40
Pout (dBm)
65
60
55
50
45
40
35
2
1785 MHz 2fo vs. Pout
0
5
10
15
20
30
25
35
40
Pout (dBm)
65
60
55
50
45
40
35
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF08114B
PF08122B
PF08123B
PF251 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts
PF252 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PF08114B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08122B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08123B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08127B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
PF08134B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone