參數(shù)資料
型號(hào): PH2369
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN switching transistor
中文描述: 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商: PH2369
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
IC
IB
MHz
(mA)
(V)
(V)
(mA)
(mA)
MMBTA42
MMBTA44
MMBTA56
MMBTA64
MMBTA92
MMBTA94
MMBTH10
GT85C
GTD82NS
GTB72PS
SC5094
SOT-89
(P.32)
NPN
300
300
500
225
40
-
10
10
0.5
20
2
50
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
NPN
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400
300
350
50
300
10
10
0.4
1
0.1
PNP
-80
-80
-500
225
50
-
-100
-1
-0.25
-100
-10
100
PNP
-30
-30
-500
225
20K
-
-100
-5
-1.5
-100
-0.1
125
PNP
-300
-300
-500
225
40
-
-10
-10
-0.5
-20
-2
50
PNP
-400
-400
-150
350
75
200
-10
-10
-0.2
-1
-0.1
NPN
20
15
50
225
60
-
4
10
0.5
4
0.4
650
NPN
50
45
800
225
100
630
100
1
0.7
500
50
100
NPN
40
30
3000
1000
30
400
1
2
0.5
2
0.2
80
PNP
-40
-30
-3000
1000
30
400
-1
-2
-0.5
-2
-0.2
80
NPN
18
10
20
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50
200
1
2
-
-
-
9000
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M14
M1426
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M27
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M3906
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M772A
M879
M882
M92
M92M
M94
M965
TO-92
(P.31)
PNP
-20
-10
-2000
1
140
1000
-500
-1
-0.5
-2000
-50
140
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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30
300
1
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-
100
5
1.5
100
0.1
125
PNP
-20
-20
-3000
1.2
160
390
-100
-2
-0.5
-2000
-100
240
NPN
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60
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-
100
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-60
-600
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-150
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-150
-15
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100
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80
80
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-
500
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0.5
1000
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100
NPN
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1
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-40
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-10
-1
-0.4
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-80
-1000
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-
-100
-5
-0.5
-500
-50
100
NPN
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300
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-
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10
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NPN
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-150
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-10
-5
-0.5
-50
-5
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NPN
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5
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5
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PNP
-30
-30
-500
1
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-
-10
-5
-1.5
-100
-0.1
125
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100
1000
1
100
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250
1
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350
35
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-30
-3000
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-1000
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-0.5
-2000
-200
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-60
-50
-3000
1.5
100
500
-1000
-2
0.5
-2000
-200
80
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0.4
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NPN
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0.5
2000
200
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-300
-500
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-
-10
-10
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-20
-2
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-300
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-
-10
-10
-0.7
-100
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-400
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-10
-10
-0.5
-10
-1
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2
0.35
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A3669
A8050
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A8550S
AD825
AD826
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50
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540
2
4.5
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EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
ECB
EBC
ECB
EBC
EBC
EBC
EBC
ECB
ECB
EBC
EBC
EBC
EBC
BCE
BCE
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-40
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-25
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-
-50
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-0.25
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-0.2
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200K
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80
2000
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-
500
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0.5
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-100
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-0.5
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PNP
-25
-20
-700
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100
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-150
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NPN
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600
625
10K
100K
100
5
1.5
100
0.1
125
NPN
75
60
600
625
100
300
150
10
1
500
50
300
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
hFE
VCE(sat)
Min
Max
SOT-23
(P.28)
P.13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH2920 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PH3135-90S Radar Pulsed Power Transistor, 90W,2ms Pulse,10%Duty 3.1-3.5GHz
PH5330 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PH5416 PNP high-voltage transistor
PH8230 N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH2369 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS AMMO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2