參數(shù)資料
型號(hào)： PH2369
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN switching transistor
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
文件大小： 500K
代理商： PH2369
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
Current
R1
R2
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
resistance
resistance
MHz
(mA)
(V)
(mA)
(
)
(
)
DTC124XUS3
DTC143EUS3
DTC143TUS3
DTC143XUS3
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DTC143ZUS3
DTC144EUS3
DTC144TUS3
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DTC144WUS3
DTD113ZUS3
DTD114EUS3
DTD143EUS3
SOT-363
(P.29)
NPN
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50
100
200
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-
5
5
0.36
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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50
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20
-
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5
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4.7K
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200
100
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50
100
200
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-
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5
1.8
4.7K
10K
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50
100
200
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-
10
5
1.8
4.7K
22K
250
NPN
50
50
100
200
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-
10
5
1.8
4.7K
47K
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50
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-
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5
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47K
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1
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NONE
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50
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-5
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-5
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-5
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BC143ZS6R
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-5
-5
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22K
22K
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-5
-5
-0.36
22K
22K
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-50
-100
150
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-
-5
-5
-0.88
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10K
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P*2
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-50
-100
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-1
-5
-0.88
10K
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-5
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22K
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50
100
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100
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1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BC143XUS6R
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150
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5
1.8
4.7K
10K
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1.8
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47K
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BC144EUS6R
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47K
47K
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10K
10K
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-50
-50
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-
-5
-5
-0.88
10K
10K
250
50
50
100
150
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
-50
-50
-100
150
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Min
Max
SOT-523
(P.28)
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
INPUT
hFE
BCA124EUS6R
N+P
N+P
SOT-563
(P.29)
BCA114EUS6R
N+P
N+P
BCA124ES6R
N+P
N+P
N+P
BCA114ES6R
N+P
P.18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH2920 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PH3135-90S Radar Pulsed Power Transistor, 90W,2ms Pulse,10%Duty 3.1-3.5GHz
PH5330 N-channel enhancement mode field-effect transistor
PH5416 PNP high-voltage transistor
PH8230 N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH2369 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PH2369,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SWITCHING TRANS AMMO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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