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參數(shù)資料
| 型號： | PH3134-10M |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.2A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 1.2AI（丙） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | PH3134-10M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3134-20L | Radar Pulsed Power Transistor， 20W |
| PH3134-25M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 3A I(C) | FO-91VAR |
| PH3134-9L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C) |
| PH3135-65M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: SSOP; No of Pins: 28; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PH3135-80M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: PDIP; No of Pins: 24; Temperature Range: -40°C to +85°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PH3134-11S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-20L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH3134-25M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,25W,36V,3.10-3.40GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH3134-2OL | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
| PH3134-30S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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