參數(shù)資料
型號： PHB13N40E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 13.7 A, 400 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： PHB13N40E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.22. SOT429; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
December 1998
9
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHW13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP176NQ04T N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
PHP1N60E PowerMOS transistor
PHP206 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
PHP33N10 PowerMOS transistor(功率MOS晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PHB143NQ04T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB145NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB146NQ06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB146NQ06LT,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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