參數(shù)資料
型號(hào)： PHB160NQ08T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： 75 A, 75 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHB160NQ08T
Philips Semiconductors
PHP/PHB160NQ08T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2004
8 of 13
9397 750 12719
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 14 V and 60 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ap71
0
25
50
75
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ap73
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 60 V
14 V
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