型號: | PHB160NQ08T |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
中文描述: | 75 A, 75 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 9/13頁 |
文件大小: | 89K |
代理商: | PHB160NQ08T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PHP3N60 | Micropower Low Dropout References; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PHP5N40 | PowerMOS transistor |
PHP6N28T | Micropower Low Dropout References; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PHPL6N28T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-221 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHB160NQ08T /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB160NQ08T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB1635-5R0176-1 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT - Tape and Reel 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT |
PHB174NQ04LT /T3 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB174NQ04LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |