參數(shù)資料
型號(hào)： PHD36N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHD36N03LT
PHD_PHP36N03LT_2
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 June 2006
4 of 13
Philips Semiconductors
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
5.
Thermal characteristics
[1]
Mounted on a printed-circuit board; vertical in still air.
Table 4.
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base see
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT78
SOT428
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
2.6
Unit
K/W
vertical in free air
minimum footprint
SOT404 minimum footprint
-
60
75
50
-
-
-
K/W
K/W
K/W
[1]
-
[1]
-
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
001aae810
10
5
t
p
(s)
10
1
1
10
2
10
4
10
3
1
10
1
10
Z
th(j
mb)
(K/W)
10
2
δ
= 0.5
0.05
0.02
single pulse
0.2
0.1
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD5N20E PowerMOS transistor
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHI214-20EL Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 2ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25L Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD36N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD36N03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD36N03LT/T3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
PHD37N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK
PHD37N06LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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