參數(shù)資料
型號： PHD36N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 89K
代理商： PHD36N03LT
PHD_PHP36N03LT_2
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 June 2006
6 of 13
Philips Semiconductors
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
V
DS
(V)
0
1.0
0.8
0.4
0.6
0.2
001aae812
3.5
10
20
30
I
D
(A)
0
V
GS
(V) = 2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.8
4.5
10
I
D
(A)
0
40
30
10
20
001aae813
20
10
30
40
R
DSon
(m
)
0
3.5
3.8
4.5
10
V
GS
(V) = 3.4
V
GS
(V)
0
4
3
1
2
001aae814
20
10
30
40
I
D
(A)
0
T
j
= 25
°
C
175
°
C
03af18
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
相關PDF資料
PDF描述
PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD5N20E PowerMOS transistor
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHI214-20EL Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 2ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25L Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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