參數(shù)資料
型號： PHD71NQ03LT
英文描述： Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 三1.8V到6V的高端MOSFET驅(qū)動器; 封裝: SO; 管腳數(shù)量: 8; 溫度范圍: 0°C至+70°C
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： PHD71NQ03LT
PHP/PHB/PHD71NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 25 June 2002
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB71NQ03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.
I
Logic level compatible
I
Low gate charge
I
DC to DC converters
I
Switched mode power supplies
I
V
DS
= 30 V
I
P
tot
= 120 W
I
I
D
= 75 A
I
R
DSon
≤
10 m
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP71NQ03LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
PHB71NQ03LT Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHE13002AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD71NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD71NQ03LT/T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD71NQ03LT118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 75A 3-SOT-428
P-HD7406 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
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