參數(shù)資料
型號(hào)： PHD71NQ03LT
英文描述： Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 三1.8V到6V的高端MOSFET驅(qū)動(dòng)器; 封裝: SO; 管腳數(shù)量: 8; 溫度范圍: 0°C至+70°C
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
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代理商： PHD71NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD71NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 25 June 2002
8 of 14
9397 750 09821
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ai80
0
20
40
60
80
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
T
j
= 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ai82
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 50 A
Tj = 25
°
C
VDD = 15 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP71NQ03LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
PHB71NQ03LT Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHE13002AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD71NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD71NQ03LT/T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD71NQ03LT118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 75A 3-SOT-428
P-HD7406 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
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