參數(shù)資料
型號： PHD78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： PHD78NQ03LT
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 14 November 2001
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP78NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB78NQ03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD78NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 or SOT428 packages.
I
Low on-state resistance
I
Fast switching
I
Computer motherboards
I
DC to DC converters
I
V
DS
= 25 V
I
P
tot
= 93 W (
T
mb
= 25
°
C)
I
I
D
= 75 A (
T
mb
= 25
°
C)
I
R
DSon
= 9 m
(
T
j
= 25
°
C)
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outlines and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD12N10E PowerMOS transistor
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
PHD36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD78NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD78NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD78NQ03LT118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 75A SOT428
PHD82NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD82NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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