參數(shù)資料
型號(hào)： PHD78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 292K
代理商： PHD78NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 14 November 2001
6 of 14
9397 750 08916
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
≥
I
D
x R
DSON
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
60
40
20
0
ID
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VDS (V)
2
5 V
VGS = 3 V
3.5 V
4 V
10 V
4.5 V
6 V
003aaa169
Tj = 175
ο
C
Tj = 25
ο
C
0
2
3
4
VGS (V)
40
30
20
0
10
ID
(A)
003aaa170
40
20
0
RDSon
(m
)
ID (A)
0
10
20
30
40
50
VGS = 3 V
3.5 V
5 V
6 V
10 V
4 V
60
003aaa171
03aa27
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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