型號(hào): | PHN210 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
中文描述: | 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
封裝: | PLASTIC, SO-8 |
文件頁數(shù): | 7/7頁 |
文件大?。?/td> | 109K |
代理商: | PHN210 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PHN220 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SO |
PHN405 | 4 N-channel 60 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
PHN708 | 7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
PHONESENTRY | 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C |
PHOTOCONDUCTOR | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHN210 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHN210,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHN210T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode |
PHN210T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHN210T,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |