型號: | PHP10N60E |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
中文描述: | 9.6 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 21K |
代理商: | PHP10N60E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PHB112N06T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
PHP112 | Microprocessor Supervisory Circuit; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PHP11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
PHP12N10E | KPT 8C 8#16 PIN RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHP-10P10C-5 | 制造商:POWER DYNAMICS 功能描述: 制造商:Power Dynamics Inc 功能描述: |
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PHP110NQ06LT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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PHP110NQ08LT,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |