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參數(shù)資料
| 型號： | PHT1N52S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 0.6 A, 520 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | PHT1N52S |
Philips Semiconductors
Objective specification
PowerMOS transistor
PHT1N52S
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.1. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.2. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
February 1998
3
Rev 1.000
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PDF描述 |
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