參數(shù)資料
型號(hào)： PHX8NQ11T
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
中文描述： 7.5 A, 110 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 84K
代理商： PHX8NQ11T
Philips Semiconductors
PHX8NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 14 May 2004
3 of 12
9397 750 13285
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of heatsink temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of heatsink temperature.
T
h
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa13
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
P
der
(%)
03aa21
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03aq71
10-1
1
10
102
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
10 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
PHX8NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX9NQ20T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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