參數(shù)資料
型號： PIC18F2420-I/SO
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 108/151頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU FLASH 8KX16 28SOIC
產品培訓模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標準包裝： 27
系列： PIC® 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART
外圍設備： 欠壓檢測/復位，HLVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲器容量： 16KB（8K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 768 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器： A/D 10x10b
振蕩器型： 內部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
產品目錄頁面： 642 (CN2011-ZH PDF)
配用： XLT28SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 28SOIC 300MIL
2011-2012 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41579C-page 375
PIC16(L)F1782/3
30.5
Memory Programming Requirements
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +125°C
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Program Memory
Programming Specifications
D110
VIHH
Voltage on MCLR/VPP/RE3 pin
8.0
—
9.0
V
(Note 3)
D111
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
D112
VDD for Bulk Erase
2.7
—
VDDMAX
V
D113
VPEW
VDD for Write or Row Erase
VDDMIN
—VDDMAX
V
D114
IPPPGM Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
1.0
mA
D115
IDDPGM Current on VDD during Erase/Write
—
5.0
mA
Data EEPROM Memory
D116
ED
Byte Endurance
100K
—
—E/W
-40
C to +85C
D117
VDRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D118
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
4.0
5.0
ms
D119
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D120
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
100k
—
E/W
-40°C to +85°C
Program Flash Memory
D121
EP
Cell Endurance
10K
—
—E/W
-40
C to +85C (Note 1)
D122
VPR
VDD for Read
VDDMIN
—VDDMAX
V
D123
TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
2.5
ms
D124
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Self-write and Block Erase.
2:
Refer to Section 12.2 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
3:
Required only if single-supply programming is disabled.
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