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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PK60X256VLL100 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 30/76頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM CORTEX MCU 256K 100-LQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Kinetis® Cortex-M4 Microcontroller Family |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | Kinetis |
| 核心處理器： | ARM? Cortex?-M4 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART，USB，USB OTG |
| 外圍設(shè)備： | DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 66 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大小： | 4K x 8 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 25x16b，D/A 1x12b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 封裝/外殼： | 100-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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6.4.1.5 Write endurance to FlexRAM for EEPROM
When the FlexNVM partition code is not set to full data flash, the EEPROM data set size
can be set to any of several non-zero values.
The bytes not assigned to data flash via the FlexNVM partition code are used by the flash
memory module to obtain an effective endurance increase for the EEPROM data. The
built-in EEPROM record management system raises the number of program/erase cycles
that can be attained prior to device wear-out by cycling the EEPROM data through a
larger EEPROM NVM storage space.
While different partitions of the FlexNVM are available, the intention is that a single
choice for the FlexNVM partition code and EEPROM data set size is used throughout the
entire lifetime of a given application. The EEPROM endurance equation and graph
shown below assume that only one configuration is ever used.
Writes_subsystem =
× Write_efficiency × n
EEPROM – 2 × EEESPLIT × EEESIZE
EEESPLIT × EEESIZE
nvmcycd
where
Writes_subsystem — minimum number of writes to each FlexRAM location for
subsystem (each subsystem can have different endurance)
EEPROM — allocated FlexNVM for each EEPROM subsystem based on DEPART;
entered with the Program Partition command
EEESPLIT — FlexRAM split factor for subsystem; entered with the Program
Partition command
EEESIZE — allocated FlexRAM based on DEPART; entered with the Program
Partition command
Write_efficiency —
0.25 for 8-bit writes to FlexRAM
0.50 for 16-bit or 32-bit writes to FlexRAM
nnvmcycd — data flash cycling endurance (the following graph assumes 10,000
cycles)
Peripheral operating requirements and behaviors
K60 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
36
Freescale Semiconductor, Inc.
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PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PK60X256VLQ100 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 256K ENET (pre-qual sample) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 處理器系列:STM32F373xx 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:256 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LQFP-48 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PK60X256VMC100 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 256 USB ENET (pre-qual sample) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 處理器系列:STM32F373xx 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:256 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LQFP-48 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PK60X256VMD100 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 256K enet (pre-qual sample) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 處理器系列:STM32F373xx 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:256 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LQFP-48 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PK60X256VMD100 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Kinetis 256Kflex enet |
| PK6-10R-T | 功能描述:端子 RING-TRM 06AWG #10 KYN C+B RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規(guī):26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點(diǎn)電鍍:Tin over Nickel 觸點(diǎn)材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類型:Crimp |
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