參數(shù)資料
型號： PMBT2223A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN switching transistors
中文描述： NPN開關晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： PMBT2223A
1999 Apr 27
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN switching transistors
PMBT2222; PMBT2222A
FEATURES
High current (max. 600 mA)
Low voltage (max. 40 V).
APPLICATIONS
Switching and linear amplification.
DESCRIPTION
NPN switching transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complements: PMBT2907 and PMBT2907A.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
1B
1P
PMBT2222
PMBT2222A
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
PMBT2222
PMBT2222A
collector-emitter voltage
PMBT2222
PMBT2222A
emitter-base voltage
PMBT2222
PMBT2222A
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
60
75
V
V
V
CEO
open base
30
40
V
V
V
EBO
open collector
65
65
5
6
600
800
200
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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