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參數(shù)資料
| 型號： | PMEM4010ND |
| 英文描述： | NPN transistor/Schottky diode module |
| 中文描述： | NPN晶體管/肖特基二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | PMEM4010ND |
2003 Jul 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN transistor/Schottky diode module
PMEM4010ND
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NPN transistor
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CB
= 40 V; I
E
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
=0 ; f = 1 MHz
300
300
200
150
260
100
50
100
100
900
80
110
210
1.2
<220
1.1
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
V
m
V
MHz
V
BEsat
R
CEsat
V
BEon
f
T
base-emitter saturation voltage
equivalent on-resistance
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
Schottky barrier diode
collector capacitance
10
pF
V
F
continuous forward voltage
I
F
= 10 mA; note 1
I
F
= 100 mA; note 1
I
F
= 1000 mA; see Fig.7; note 1
V
R
= 5 V; note 1
V
R
= 8 V; note 1
V
R
= 15 V; see Fig.8; note 1
V
R
= 5 V; f = 1 MHz; see Fig.9
240
300
480
5
7
10
19
270
350
550
10
20
50
25
mV
mV
mV
μ
A
μ
A
μ
A
pF
I
R
reverse current
C
d
diode capacitance
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