參數(shù)資料
型號： PMEM4010ND
英文描述： NPN transistor/Schottky diode module
中文描述： NPN晶體管/肖特基二極管模塊
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： PMEM4010ND
2003 Jul 04
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN transistor/Schottky diode module
PMEM4010ND
handbook, halfpage
fT
(MHz)
0
1000
0
100
200
300
200
400
600
800
IC (mA)
MHC081
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
NPN transistor;
V
CE
= 10 V.
handbook, halfpage
IF
(mA)
0.6
0.2
0
0.4
VF (V)
3
10
2
10
1
10
1
MHC311
(1)
(2)
(3)
Fig.7
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
10
4
25
0
5
10
15
20
VR (V)
5
10
3
10
2
10
1
MHC312
(1)
(2)
(3)
Fig.8
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
5
10
20
60
20
0
40
15
VR (V)
MHC313
Fig.9
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
Schottky barrier diode;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
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