一.現(xiàn)貨庫存TGF2023-2-20,90瓦的功率GaN HEMT TRIQUINT品牌
1.頻率范圍:DC - 18 GHz
2.50.5 dBm的名義PSAT在3GHz
3.最大PAE 70.5%
4.在3千兆赫的額定功率增益為19.2分貝
5.指標(biāo):VD = 12-32V , IDQ = 400 - 2000 mA
6.技術(shù):TQGaN25 on SIC
7.芯片尺寸:0.82×4.56×0.10毫米
TriQuint TGF2023-2-20是離散的20毫米的氮化鎵上SiCHEMT由直流至18 GHz
。部分采用TriQuint的TQGaN25生產(chǎn)工藝設(shè)計。此工藝具有先進(jìn)的領(lǐng)域板技術(shù),以
優(yōu)化微波功率和 效率,在高漏極偏壓操作條件。
在3 GHz的tgf2023-2-20通常提供50.5 dBm的功率增益為19.2 dB的飽和輸出
功率。最大功率附加效率為70.5%,這使得TGF2023-2-20適合高效率的應(yīng)用。
產(chǎn)品無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
二.TGF2023-2-20相似產(chǎn)品型號
產(chǎn)品型號 頻率(GHz) 輸出功率(dBm)
TGF2023-2-01 DC-18 38
TGF2023-2-02 DC-18 40.1
TGF2023-2-05 DC-18 43
TGF2023-2-10 DC-18 47.3
雷麗芳 女士(項目銷售工程師)
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