參數資料
型號： PSD311R
英文描述： Field Programmable Microcontroller Peripherals(可編程邏輯,無SRAM,19個可編程I/O,通用PLD有12個輸入)
中文描述： 現場可編程微控制器外圍設備（可編程邏輯，無的SRAM，19余個可編程輸入/輸出，通用PLD的有12個輸入）
文件頁數： 33/127頁
文件大小： 682K
代理商： PSD311R
CMiser = 1
Subtract:
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ Max
Unit
V
IH
High-Level Input Voltage
V
CC
= 4.5 V to 5.5 V
2
V
CC
+ .1
V
V
IL
Low-Level Input Voltage
V
CC
= 4.5 V to 5.5 V
I
OH
= –20 μA,
V
CC
= 4.5 V
I
OH
= –2 mA,
V
CC
= 4.5 V
I
OL
= 20 μA
V
CC
= 4.5 V
I
OL
= 8 mA
V
CC
= 4.5 V
Comm'l
–0.5
0.8
V
4.4
4.49
V
V
OH
Output High Voltage
2.4
3.9
V
0.01
0.1
V
V
OL
Output Low Voltage
0.15
0.45
V
I
SB1
V
CC
Standby Current
(CMOS) (Notes 27 and 29)
50
100
μA
Ind/Mil
75
150
μA
Active Current (CMOS)
(No Internal Memory
Block Selected)
(Notes 27, 28a and 30)
Comm'l (Note 31)
16
35
7
10
mA
Comm'l (Note 32)
28
50
7
10
mA
I
CC1
Ind/Mil (Note 31)
16
45
7
10
mA
Ind/Mil (Note 32)
28
60
7
10
mA
Active Current (CMOS)
(EPROM Block Selected)
(Notes 27, 28a and 30)
Comm’l (Note 31)
16
35
0/5
*
0/7
*
mA
I
CC2
Comm'l (Note 32)
28
50
0/5
*
0/7
*
mA
Ind/Mil (Note 31)
16
45
0/5
*
0/7
*
mA
Ind/Mil (Note 32)
28
60
0/5
*
0/7
*
mA
Active Current (CMOS)
(SRAM Block Selected)
(Notes 27, 28a and 30)
Comm’l (Note 31)
47
80
7
10
mA
I
CC3
Comm'l (Note 32)
59
95
7
10
mA
Ind/Mil (Note 31)
47
100
7
10
mA
Ind/Mil (Note 32)
59
115
7
10
mA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 5.5 V or GND
–1
±0.1
1
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 5.5 V or GND
–10
±5
10
μA
DC Characteristics – PSD3XX Versions (5V ±10%)
PSD3XX Famly
2-33
NOTES:
27. CMOS inputs: GND ± 0.3 V or V
CC
± 0.3V.
28. TTL inputs: V
IL
≤
0.8 V, V
IH
≥
2.0 V.
28a. I
OUT
= 0 mA.
29. CSI/A19 is high and the part is in a power-down configuration mode.
30. Add 3.0 mA/MHz for AC power component (power = AC + DC).
31. Ten (10) PAD product terms active. (Add 380 μA per product term, typical, or 480 μA per product term maximum.)
32. Forty-one (41) PAD product terms active.
*
The zero value is for 16-bit configurations. The other values are for 8-bit configurations.
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