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參數(shù)資料
| 型號： | PSD313R |
| 英文描述： | Field Programmable Microcontroller Peripherals(可編程邏輯,無SRAM,19個(gè)可編程I/O,通用PLD有16個(gè)輸入) |
| 中文描述： | 現(xiàn)場可編程微控制器外圍設(shè)備（可編程邏輯，無的SRAM，19余個(gè)可編程輸入/輸出，通用PLD的有16個(gè)輸入） |
| 文件頁數(shù)： | 34/127頁 |
| 文件大?。?/td> | 682K |
| 代理商： | PSD313R |
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PSD3XX Famly
2-34
CMiser = 1
Subtract:
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Min Typ Max
Unit
V
IH
High-Level Input Voltage
V
CC
= 3.0 V to 5.5 V 0.7 V
CC
V
CC
+0.5
V
V
IL
Low-Level Input Voltage
V
CC
= 3.0 V to 5.5 V
I
OH
= –20 μA,
V
CC
= 3.0 V
I
OH
= –1 mA,
V
CC
= 3.0 V
I
OL
= 20 μA,
V
CC
= 3.0 V
I
OL
= 4 mA,
V
CC
= 3.0 V
–0.5
0.3 V
CC
V
2.9
2.99
V
V
OH
Output High Voltage
2.4
2.6
V
0.01
0.1
V
V
OL
Output Low Voltage
0.15
0.4
V
I
SB1
V
CC
Standby Current
(CMOS) (Notes 33 and 34)
V
CC
= 3.3 V
1
5
μA
Active Current (CMOS)
(No Internal Memory
Block Selected)
(Notes 33, 33a and 35)
V
CC
= 3.3 V
(Note 36)
5
11
3.0
4
mA
I
CC1
V
CC
= 3.3 V
(Note 37)
9
17
3.0
4
mA
Active Current (CMOS)
(EPROM Block Selected)
(Notes 33, 33a and 35)
V
CC
= 3.3 V
(Notes 36 and 38)
5
11
0/2
*
0/3
*
mA
I
CC2
V
CC
= 3.3 V
(Notes 37 and 38)
9
17
0/2
*
0/3
*
mA
Active Current (CMOS)
(SRAM Block Selected)
(Notes 33, 33a and 35)
V
CC
= 3.3 V
(Notes 36 and 38)
16
29
3
4
mA
I
CC3
V
CC
= 3.3 V
(Notes 37 and 38)
21
35
3
4
mA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
CC
or GND
–1
±0.1
1
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
CC
or GND
–10
±5
10
μA
DC Characteristics – PSD3XXL Low-Power Versions (3.3V ±10%)
NOTES:
33.
CMOS inputs: GND ± 0.3 V or V
CC
± 0.3V.
33a. I
OUT
= 0 mA.
34.
CSI/A19 is high and the part is in a power-down configuration mode.
35.
AC power component (power = AC + DC).
– For 3.3 V operation, add 2.0 mA/MHz.
– For 5.0 V operation, add 3.0 mA/MHz.
36.
Ten (10) PAD product terms active. (Add 190 μA per product term, typical, or 240 μA per product term maximum.)
37.
Forty (40) PAD product terms active.
38.
In 8-bit mode, an additional 3 mA Max can be saved under CMiser.
*The zero value is for 16-bit configurations. The other values are for 8-bit configurations.
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