參數(shù)資料
型號： PSD835G2
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲器可編程外設(shè))
中文描述： 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng)（8位微控制器片上存儲器可編程外設(shè)）
文件頁數(shù)： 102/110頁
文件大?。?/td> 535K
代理商： PSD835G2
PSD8XX Family
PSD835G2 Beta Information
102
Symbol
Parameter
1
Conditions Typical
2
Max
Unit
C
IN
C
OUT
C
VPP
Capacitance (for input pins only)
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
V
PP
= 0 V
4
6
pF
Capacitance (for input/output pins)
8
12
pF
Capacitance (for CNTL2/V
PP
)
18
25
pF
NOTES:
1. These parameters are only sampled and are not 100% tested.
2. Typical values are for T
A
= 25
°
C and nominal supply voltages.
T
A
= 25 °C, f = 1 MHz
14.0
Pin Capacitance
15.0
Figure 46.
AC Testing
Input/Output
Waveform
16.0
Figure 47.
AC Testing
Load Circuit
17.0
Programming
3.0V
0V
TEST POINT
1.5V
DEVICE
UNDER TEST
2.01 V
195
C
L
= 30 pF
(INCLUDING
SCOPE AND JIG
CAPACITANCE)
Upon delivery from Waferscale, the PSD835G2 device has all bits in the PLDs and
memories in the
“
1
”
or high state. The configuration bits are in the
“
0
”
or low state. The
code, configuration, and PLDs logic are loaded through the procedure of programming.
Information for programming the device is available directly from Waferscale. Please
contact your local sales representative. (See the last page.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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