參數(shù)資料
型號： PSD835G2
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲器可編程外設(shè))
中文描述： 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng)（8位微控制器片上存儲器可編程外設(shè)）
文件頁數(shù)： 78/110頁
文件大?。?/td> 535K
代理商： PSD835G2
-70
-90
Slew
Rate
(Note 1)
PT
Aloc
TURBO
OFF
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
Maximum Frequency
External Feedback
Maximum Frequency
Internal Feedback
(f
CNT
)
Maximum Frequency
Pipelined Data
Input Setup Time
Input Hold Time
Clock High Time
Clock Low Time
Clock to Output Delay
GPLD Array Delay
Minimum Clock Period
1/(t
S
+t
CO
)
34.4
30.30
MHz
f
MAX
1/(t
S
+t
CO
–10)
52.6
43.48
MHz
1/(t
CH
+t
CL
)
83.3
50.00
MHz
t
S
t
H
t
CH
t
CL
t
CO
t
ARD
t
MIN
14
0
6
6
15
0
10
10
Add 2 Add 12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Clock Input
Clock Input
Clock Input
Any Micro
Cell
t
CH
+t
CL
(Note 2)
15
11
18
16
Sub 2
Add 2
12
20
GPLD Micro
Cell Synchronous Clock Mode Timing
(5 V ± 10% Versions)
NOTES:
1.
Fast Slew Rate output available on Port C and F.
CLKIN t
CLCL
= t
CH
+ t
CL
.
2.
-70
-90
Slew
Rate
(Note 1)
PT
Aloc
TURBO
OFF
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
t
PD
GPLD Input Pin/Feedback to
GPLD Combinatorial Output
20
25
Add 2 Add 12 Sub 2
ns
t
EA
GPLD Input to GPLD
Output Enable
21
26
Add 12 Sub 2
ns
t
ER
GPLD Input to GPLD
Output Disable
21
26
Add 12 Sub 2
ns
t
ARP
GPLD Register Clear or
Preset Delay
21
26
Add 12 Sub 2
ns
t
ARPW
GPLD Register Clear or
Preset Pulse Width
10
20
Add 12
ns
t
ARD
GPLD Array Delay
Any
11
16
Add 2
ns
Micro
Cell
GPLD Combinatorial Timing
(5 V ± 10%)
NOTE:
1. Fast Slew Rate output available on Port C and F.
PSD835G2 AC/DC Parameters – GPLD Timing Parameters
(5 V ± 10% Versions)
PSD8XX Family
PSD835G2 Beta Information
78
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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