參數(shù)資料
型號(hào)： PSD835G2
英文描述： 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
中文描述： 可配置的存儲(chǔ)系統(tǒng)級(jí)芯片的8位微控制器
文件頁數(shù)： 74/110頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： PSD835G2
PSD835G2
PSD8XX Family
Range
Temperature
V
CC
Tolerance
+ 5 V ± 10%
Commercial
0
°
C to +70
°
C
Industrial
–
40
°
C to +85
°
C
+ 5 V ± 10%
Commercial
0
°
C to +70
°
C
3.0 V to 3.6 V
Industrial
–
40
°
C to +85
°
C
3.0 V to 3.6 V
Symbol
T
STG
Parameter
Storage Temperature
Condition
PLDCC
Commercial
Industrial
With Respect to GND
Min
–
65
0
–
40
–
0.6
Max
+ 125
+ 70
+ 85
+ 7
Unit
°
C
°
C
°
C
V
Operating Temperature
Voltage on any Pin
Device Programmer
Supply Voltage
V
PP
With Respect to GND
–
0.6
+ 14
V
V
CC
Supply Voltage
With Respect to GND
–
0.6
>
2000
+ 7
V
ESD Protection
V
10.0
Absolute
Maximum
Ratings
NOTE:
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent
damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at
these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specification is not recommended. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods of time may affect device reliability.
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
Supply Voltage
All Speeds
4.5
5
5.5
V
V
CC
Supply Voltage
V-Versions
All Speeds
3.0
3.6
V
12.0
Recommended
Operating
Conditions
11.0
Operating
Range
73
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835F2-C-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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