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參數資料
| 型號： | PSS8050D |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | PSS8050D |
2002 Nov 18
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power 25 V transistor
PSS8050
handbook, halfpage
0
10
1
100
200
300
MLD952
1
IC (mA)
hFE
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.8
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
PSS8050D
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
VBE
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD953
10
1
1
10
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.9
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
PSS8050D
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
MLD954
3
10
2
10
10
1
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
3
10
2
10
4
1
(1)
(3)
(2)
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
PSS8050D
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MLD956
200
600
1000
10
1
1
10
IC (mA)
VBEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.11 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
PSS8050D
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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