參數(shù)資料
型號： PTB20157
廠商： ERICSSON
英文描述： 20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
中文描述： 20瓦，1.35-1.85 GHz射頻功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 45K
代理商： PTB20157
PTB 20157
3
e
Typical Performance
Gain & Efficiency vs. Power Out
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
Output Power (Watts)
G
0
10
20
30
40
50
E
V
CC
= 22 V
f = 1.85 GHz
Gain & Return Loss vs. Frequency
(as measured in a broadband circuit)
0
2
4
6
8
10
1.3
1.4
1.5
Frequency (GHz)
1.6
1.7
1.8
1.9
G
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
R
V
CC
= 22 V
Pout = 20 W
Ericsson Components
RF Power Products
675 Jarvis Drive
Morgan Hill, CA 95037 USA
Telephone: 408-778-9434
Specifications subject to change
without notice.
LF
1996 Ericsson Inc.
EUS/KR 1301-PTB 20157 Uen Rev. D 09-28-98
1-877-GOLDMOS
(1-877-465-3667)
e-mail: rfpower@ericsson.com
www.ericsson.com/rfpower
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTB20162 40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor
PTB20166 23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167 60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
PTB20170 30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20171 25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTB20158 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20162 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor
PTB20166 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
PTB20167V3 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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