參數(shù)資料
型號： Q62702-F621
廠商： SIEMENS AG
英文描述： NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage)
中文描述： NPN硅晶體管（高耐壓l低集電極發(fā)射極飽和電壓）
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： Q62702-F621
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關PDF資料
PDF描述
Q62702-F788 NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers in the GHz range, and broadband analog and digital applications)
Q62702-F935 CAP CER 250VAC 470PF X7R 2211
Q62702-F936 Silicon N Channel MOSFET Tetrode (For input and mixer stages in FM and VHF TV tuners)
Q62702-F938 NPN Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20mA)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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