參數(shù)資料
型號： Q62702-F622
廠商： SIEMENS AG
英文描述： PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage)
中文描述： 進步黨硅晶體管（高擊穿電壓低集電極發(fā)射極飽和電壓）
文件頁數(shù)： 10/11頁
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代理商： Q62702-F622
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料
PDF描述
Q62702-F626 PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
Q62702-F640 NPN Silicon RF Transistor (For SAW filter driver applications in TV tuners For linear broadband VHF amplifier stages)
Q62702-F65 PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS
Q62702-F655 LOW NOISE NPN SILICON MICROVAVE TRANSISTOR UP TO 2 GHz
Q62702-F659 NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA.)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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