參數(shù)資料
型號： Q62702-L94
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
中文描述： 砷化鎵場效應(yīng)管（功率放大器，對于從400兆赫到2.5千兆赫頻率的移動電話）
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 101K
代理商： Q62702-L94
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-L96 GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies up to 3 GHz)
Q62702-L99 GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
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Q62702-P1751 .Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor
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參數(shù)描述
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