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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-P1606 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package |
| 中文描述： | 叩- Silizium - Fototransistor即時貼片TOPLEDa - Geh鋟硅npn型光電晶體管的表面貼裝TOPLEDa，包 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | Q62702-P1606 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62702P1668 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 2PIN T-1 3 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM CLEAR |
| Q62702P1671 | 功能描述:光電二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| Q62702P1673 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 890NM 2PIN T- - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM 890NM |
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