參數(shù)資料
型號(hào): Q62702-P358
廠商: SIEMENS AG
英文描述: Laser Diode on Submount 1.0 W cw Class 4 Laser Product
中文描述: 激光二極管W連續(xù)第4類激光產(chǎn)品的Submount 1.0
文件頁(yè)數(shù): 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商: Q62702-P358
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-P367 Laser Diode in TO-220 Package 1.0 W cw Class 4 Laser Product
Q62702-P368 Laser Diode in TO-220 Package with FC-connector 0.75 W cw Class 4 Laser Product
Q62702-P393 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package
Q62702-P419 メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors
Q62702-P420 メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q62702P3581 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
Q62702P3582 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18
Q62702P3583 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TH
Q62702P3584 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 2PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TH
Q62702P3585 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1