參數(shù)資料
型號： Q62703-Q516
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
中文描述： 鎵鋁砷紅外發(fā)射器（880納米）
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 552K
代理商： Q62703-Q516
Semiconductor Group
8
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
Relativer Lichtstrom
Φ
V
/
Φ
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 15 mA
Mazeichnung
Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
rot bzw. orange
grün bzw. pure green
kürzerer Ltspie
lngerer Ltspie
Cathode mark:
red or orange
green or pure green
shorter solder lead
longer solder lead
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62703-Q517 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm
Q62703-Q67 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Q62703-Q70 Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 820pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: M Failure Rate
Q62703-Q71 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
Q62703-Q72 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
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