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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-H3260 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NONVOLATILE MEMORY 8-KBIT EPROM WITH IC BUS INTERFACE |
| 中文描述： | 非易失性內(nèi)存8千比特存儲器總線接口帶IC |
| 文件頁數(shù)： | 43/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-H3260 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H5101 | NONVOLATILE MEMORY 8-KBIT EPROM WITH IC BUS INTERFACE |
| Q67100-Q1019 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q1030 | 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| Q67100-Q1044 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1049 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-H3261 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range |
| Q67100-H3262 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range |
| Q67100-H3434 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4 Kbit 512 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3435 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3492 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1/2 Kbit 128/256 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
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