參數(shù)資料
型號: Q67100-Q1106
廠商: SIEMENS AG
英文描述: DBM13W3S
中文描述: 200萬× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新
文件頁數(shù): 40/53頁
文件大?。?/td> 418K
代理商: Q67100-Q1106
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
39
15. Auto Refresh (CBR)
(Minimum Interval)
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Auto Refresh
Command
All Banks
Precharge
Command
Hi-Z
t
RP
t
RC
SPT03920
Command
Bank A
Command
Auto Refresh
Command
Bank A
Activate
RC
t
RAx
RAx
Ax2
Read
Ax0
Ax1
Ax3
CAx
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1107 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
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Q67100-Q1109 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
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參數(shù)描述
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Q67100-Q1108 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
Q67100-Q1109 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
Q67100-Q1119 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1120 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM